グリーンクロステック研究センターの齊藤雄太教授が参画する研究グループは、次世代半導体材料として注目されるゲルマニウム（Ge）と相性の良い電極材料として、テルル化ビスマス（Bi₂Te₃）を見出し、理想的な接合技術を開発することに成功しました。この成果は、米国物理学会が発行する材料科学専門誌『APL Materials』に2025年7月11日付で掲載されました。

論文情報
• タイトル：Realization of Ideal Ohmic Contact to n-Ge: The Key Roles of Ge-Bi-Te for Quasi-van der Waals Interface Formation
• 著者：Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa, Yuta Saito
• 掲載誌：APL Materials（2025年7月11日公開）
• DOI：10.1063/5.0278628